柵極 NCP5901MNTBG 驅(qū)動器
發(fā)布時間：2018/10/30
NCP5901MNTBG介紹：
描述 IC MOSFET DVR SYNC VR12 8-DFN
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 5 周
詳細(xì)描述 Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-DFN (2x2)
類別 集成電路（IC）
PMIC - 柵極驅(qū)動器
制造商 ON Semiconductor
系列 -
包裝 帶卷（TR）
零件狀態(tài) 在售
驅(qū)動配置 半橋
通道類型 同步
驅(qū)動器數(shù) 2
柵極類型 N 溝道 MOSFET
電壓 - 電源 4.5 V ~ 13.2 V
邏輯電壓 - VIL，VIH 0.7V，3.4V
電流 - 峰值輸出（灌入，拉出） -
輸入類型 非反相
高壓側(cè)電壓 - 最大值（自舉） 35V
上升/下降時間（典型值） 16ns，11ns
工作溫度 0°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 8-VFDFN 裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝 8-DFN（2x2）
基本零件編號 NCP5901
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場效應(yīng)管根據(jù)三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件，有3個極性，柵極，漏極，源極，它的特點(diǎn)是柵極的內(nèi)阻極高，采用二氧化硅材料的可以達(dá)到幾百兆歐，屬于電壓控制型器件。場效應(yīng)晶體管(FieldEffectTransistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管.由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管.它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件.
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