晶體管 SI1026X-T1 半導(dǎo)體產(chǎn)品
發(fā)布時(shí)間：2018/10/25
SI1026X-T1介紹：
描述 MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89-6
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 33 周
詳細(xì)描述 2 個(gè) N 溝道（雙） Mosfet 陣列 60V 305mA 250mW 表面貼裝 SC-89-6
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
制造商 Vishay Siliconix
系列 -
包裝 帶卷（TR）
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 2 個(gè) N 溝道（雙）
FET 功能 邏輯電平門
漏源電壓（Vdss） 60V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 305mA
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 1.4 歐姆 @ 500mA，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 0.6nC @ 4.5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 30pF @ 25V
功率 - 最大值 250mW
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 SOT-563，SOT-666
供應(yīng)商器件封裝 SC-89-6
基本零件編號(hào) SI1026
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晶體管在使用上有許多要注意的最大額定值，例如最大電壓、最大電流、最大功率。在超額的狀態(tài)下使用，晶體管內(nèi)部的結(jié)構(gòu)會(huì)被破壞。每種型號(hào)的晶體管還有特有的特性，像是直流放大率hfe、NF噪訊比等，可以借由晶體管規(guī)格表或是Data Sheet得知。
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