晶體管 SI1022R-T1 FET-MOSFET
發(fā)布時間：2018/10/25
SI1022R-T1介紹：
描述 MOSFET N-CH 60V 330MA SC-75A
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 33 周
詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 60V 330mA（Ta） 250mW（Ta） SC-75A
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET?
包裝 帶卷（TR）
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 60V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 330mA（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 1.25 歐姆 @ 500mA，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 0.6nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 30pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 250mW（Ta）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 SC-75A
封裝/外殼 SC-75A
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在雙極性晶體管中，射極到基極的很小的電流，會使得發(fā)射極到集電極之間，產(chǎn)生大電流；在場效應(yīng)晶體管中，在柵極施加小電壓，來控制源極和泄極之間的電流。晶體管也應(yīng)用于數(shù)字電路，主要功能是當(dāng)成電子開關(guān)。數(shù)字電路包括邏輯門、隨機(jī)存取內(nèi)存（RAM）和微處理器。
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