晶體管 SIRA10DP-T1-GE3 MOSFET - 單
發(fā)布時(shí)間：2018/10/15
SIRA10DP-T1-GE3介紹：
描述 MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 32 周
詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 30V 60A（Tc） 5W（Ta），40W（Tc） PowerPAK? SO-8
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET?
包裝 帶卷（TR）
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 60A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 3.7 毫歐 @ 10A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 51nC @ 10V
Vgs（最大值） +20V，-16V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 2425pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 5W（Ta），40W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 PowerPAK? SO-8
封裝/外殼 PowerPAK? SO-8
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晶體管有三個(gè)極: 雙極性晶體管的三個(gè)極，分別由N型跟P型組成發(fā)射極（Emitter）、基極（Base）和集電極（Collector）; 場(chǎng)效應(yīng)晶體管的三個(gè)極，分別是源極（Source）、柵極（Gate）和漏極（Drain）。
威世隨后采取了一些較小規(guī)模的對(duì)無(wú)源元件制造廠商的收購(gòu)。 在2000年收購(gòu)了伊萊克芬(Electro-Films)、思拉麥特(Cera-Mite)和思伯喬(Spectrol)，在2001年收購(gòu)了銓斯特(Tansitor)和北美電容器公司(馬洛里)【North American Capacitor Company (Mallory) 】。
