晶體管 SUD50N03-06AP-E3 半導(dǎo)體產(chǎn)品
發(fā)布時(shí)間：2018/10/15
SUD50N03-06AP-E3介紹：
描述 MOSFET N-CH 30V 90A TO252
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 33 周
詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 30V 90A（Tc） 10W（Ta），83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET?
包裝 帶卷（TR）
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 90A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 5.7 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 95nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 3800pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 10W（Ta），83W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 TO-252，（D-Pak）
封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
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