晶體管 SUD50P04-08-GE3 FET-MOSFET
發(fā)布時(shí)間：2018/10/15
SUD50P04-08-GE3介紹：
描述 MOSFET P-CH 40V 50A DPAK
詳細(xì)描述 表面貼裝 P 溝道 40V 50A（Tc） 2.5W（Ta），73.5W（Tc） TO-252，（D-Pak）
類(lèi)別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET?
包裝 帶卷（TR）
零件狀態(tài) 在售
FET 類(lèi)型 P 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 40V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 50A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 8.1 毫歐 @ 22A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 159nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 5380pF @ 20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），73.5W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類(lèi)型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 TO-252，（D-Pak）
封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn) + 接片），SC-63
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晶體管在電路最常用的用途應(yīng)該是屬于信號(hào)放大這一方面，其次是阻抗匹配、信號(hào)轉(zhuǎn)換等，晶體管在電路中是個(gè)很重要的元件，許多精密的組件主要都是由晶體管制成的。
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