晶體管 FQD2N60CTM 半導(dǎo)體產(chǎn)品
發(fā)布時間：2018/10/10
FQD2N60CTM介紹：
描述 MOSFET N-CH 600V 1.9A
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 11 周
詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 600V 1.9A（Tc） 2.5W（Ta），44W（Tc） D-Pak
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 QFET?
包裝 帶卷（TR）
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 600V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 1.9A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 4.7 歐姆 @ 950mA，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 12nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 235pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），44W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 D-Pak
封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
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晶體管實際上是所有現(xiàn)代電器的關(guān)鍵活動（active）元件。晶體管在當(dāng)今社會的重要性主要是因為晶體管可以使用高度自動化的過程進行大規(guī)模生產(chǎn)的能力，因而可以不可思議地達(dá)到極低的單位成本。
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