存儲器 IS43DR16640B-3DBI 集成電路
發(fā)布時間：2018/10/8
IS43DR16640B-3DBI介紹：
描述 IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA
制造商標準提前期 7 周
詳細描述 SDRAM - DDR2 存儲器 IC 1Gb （64M x 16） 并聯(lián) 333MHz 450ps 84-TWBGA（8x12.5）
類別 集成電路（IC）
存儲器
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列 -
包裝 帶卷（TR）
零件狀態(tài) 在售
存儲器類型 易失
存儲器格式 DRAM
技術 SDRAM - DDR2
存儲容量 1Gb （64M x 16）
時鐘頻率 333MHz
寫周期時間 - 字，頁 15ns
訪問時間 450ps
存儲器接口 并聯(lián)
電壓 - 電源 1.7 V ~ 1.9 V
工作溫度 -40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 84-TFBGA
供應商器件封裝 84-TWBGA（8x12.5）
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外存通常是磁性介質(zhì)或光盤等，能長期保存信息。內(nèi)存指主板上的存儲部件，用來存放當前正在執(zhí)行的數(shù)據(jù)和程序，但僅用于暫時存放程序和數(shù)據(jù)，關閉電源或斷電，數(shù)據(jù)會丟失。
ISSI 是Integrated Silicon Solution, Inc.縮寫。1988年成立，專門設計、開發(fā)、銷售高性能存儲半導體產(chǎn)品，用于Internet存儲器件、網(wǎng)絡設備、遠程通訊和移動通訊設備、計算機外設等。
