晶體管 NSVMMUN2232LT1G 雙極 (BJT)
發(fā)布時間：2018/9/27
NSVMMUN2232LT1G介紹：
描述 TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3
制造商標準提前期 36 周
詳細描述 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
類別 分立半導體產品
晶體管 - 雙極 (BJT) - 單，預偏置
制造商 ON Semiconductor
系列 -
包裝 帶卷（TR）
零件狀態(tài) 在售
晶體管類型 NPN - 預偏壓
電流 - 集電極（Ic）（最大值） 100mA
電壓 - 集射極擊穿（最大值） 50V
電阻器 - 基底（R1） 4.7 kOhms
電阻器 - 發(fā)射極基底（R2） 4.7 kOhms
不同 Ic，Vce 時的 DC 電流增益（hFE）（最小值） 15 @ 5mA，10V
不同 Ib，Ic 時的 Vce 飽和值（最大值） 250mV @ 1mA，10mA
電流 - 集電極截止（最大值） 500nA
功率 - 最大值 246mW
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商器件封裝 SOT-23-3（TO-236）
基本零件編號 MMUN22**L
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晶體管實際上是所有現(xiàn)代電器的關鍵活動（active）元件。晶體管在當今社會的重要性主要是因為晶體管可以使用高度自動化的過程進行大規(guī)模生產的能力，因而可以不可思議地達到極低的單位成本。
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