存儲器 DS1230Y-70 NVSRAM
發(fā)布時間：2018/9/26
DS1230Y-70介紹：
描述 IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP
制造商標準提前期 6 周
詳細描述 NVSRAM（非易失性 SRAM） 存儲器 IC 256Kb （32K x 8） 并聯(lián) 70ns 28-EDIP
類別 集成電路（IC）
存儲器
制造商 Maxim Integrated
系列 -
包裝 管件
零件狀態(tài) 在售
存儲器類型 非易失
存儲器格式 NVSRAM
技術(shù) NVSRAM（非易失性 SRAM）
存儲容量 256Kb （32K x 8）
寫周期時間 - 字，頁 70ns
訪問時間 70ns
存儲器接口 并聯(lián)
電壓 - 電源 4.5 V ~ 5.5 V
工作溫度 0°C ~ 70°C（TA）
安裝類型 通孔
封裝/外殼 28-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）
供應(yīng)商器件封裝 28-EDIP
基本零件編號 DS1230Y
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首先應(yīng)用可編程定時器8253的計數(shù)器1，每隔1⒌12μs產(chǎn)生一次DMA請求，該請求加在DMA控制器的0通道上。當DMA控制器0通道的請求得到響應(yīng)時，DMA控制器送出到刷新地址信號，對動態(tài)存儲器執(zhí)行讀操作，每讀一次刷新一行。
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