晶體管 IRLML6401TR MOSFET - 單
發(fā)布時(shí)間：2018/9/25
IRLML6401TR介紹：
描述 MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23
詳細(xì)描述 表面貼裝 P 溝道 12V 4.3A（Ta） 1.3W（Ta） Micro3?/SOT-23
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET?
包裝 帶卷（TR）
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 P 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 12V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 4.3A（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 50 毫歐 @ 4.3A，4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 15nC @ 5V
Vgs（最大值） ±8V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 830pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 Micro3?/SOT-23
封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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晶體管有三個(gè)極: 雙極性晶體管的三個(gè)極，分別由N型跟P型組成發(fā)射極（Emitter）、基極（Base）和集電極（Collector）; 場(chǎng)效應(yīng)晶體管的三個(gè)極，分別是源極（Source）、柵極（Gate）和漏極（Drain）。
Infineon公司是全球十大半導(dǎo)體制造商之一。1999年5月1日，西門子半導(dǎo)體公司正式更名為Infineon，總部設(shè)在德國(guó)慕尼黑。主要生產(chǎn)汽車和工業(yè)電子芯片、保密及IC卡應(yīng)用IC、通訊多媒體芯片、存儲(chǔ)器件等。1998年Infineon公司是全球十大半導(dǎo)體制造商之一。
