存儲器 IS41LV16100C-50TLI 集成電路
發(fā)布時間：2018/9/5
IS41LV16100C-50TLI介紹：
描述 IC DRAM 16M PARALLEL 44TSOP II
詳細描述 DRAM - EDO 存儲器 IC 16Mb （1M x 16） 并聯(lián) 25ns 44-TSOP II
類別 集成電路（IC）
存儲器
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列 -
包裝 托盤
零件狀態(tài) 在售
存儲器類型 易失
存儲器格式 DRAM
技術(shù) DRAM - EDO
存儲容量 16Mb （1M x 16）
寫周期時間 - 字，頁 -
訪問時間 25ns
存儲器接口 并聯(lián)
電壓 - 電源 3 V ~ 3.6 V
工作溫度 -40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）
供應商器件封裝 44-TSOP II
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計算機中處理的各種字符，例如英文字母、運算符號等，也要轉(zhuǎn)換成二進制代碼才能存儲和操作。假設(shè)一個地址碼由20位二進制數(shù)（即5位十六進制數(shù)）組成，則可表示2的20次方，即1M個存儲單元地址。每個存儲單元存放一個字節(jié)，則該的存儲容量為1MB。
ISSI 是Integrated Silicon Solution, Inc.縮寫。1988年成立，專門設(shè)計、開發(fā)、銷售高性能存儲半導體產(chǎn)品，用于Internet存儲器件、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、遠程通訊和移動通訊設(shè)備、計算機外設(shè)等。
