晶體管 IRF9530NPBF FET-MOSFET
發(fā)布時間：2018/8/28
IRF9530NPBF介紹：
描述 MOSFET P-CH 100V 14A TO-220AB
詳細描述 通孔 P 溝道 100V 14A（Tc） 79W（Tc） TO-220AB
類別 分立半導體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET?
包裝 管件
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 P 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 100V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 14A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 200 毫歐 @ 8.4A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 58nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 760pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 79W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-220AB
封裝/外殼 TO-220-3
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TTL與非門是將若干個晶體管和電阻元件組成的電路系統(tǒng)集中制造在一塊很小的硅片上，封裝成一個獨立的元件.晶體管是半導體三極管中應用最廣泛的器件之一，在電路中用“V”或“VT”表示。晶體管被認為是現(xiàn)代歷史中最偉大的發(fā)明之一。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立，是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門，于1999年獨立，2000年上市。其中文名稱為億恒科技，2002年后更名為英飛凌科技。
