晶體管 TN2106K1-G FET-MOSFET
發(fā)布時間：2018/8/14
TN2106K1-G介紹：
描述 MOSFET N-CH 60V 280MA SOT23-3
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 8 周
詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 60V 280mA（Tj） 360mW（Tc） TO-236AB（SOT23）
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Microchip Technology
系列 -
包裝 帶卷（TR）
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 60V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 280mA（Tj）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 2.5 歐姆 @ 500mA，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 1mA
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 50pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 360mW（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 TO-236AB（SOT23）
封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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MOSFET依照其"通道"(工作載流子)的極性不同，可分為"N型"與"P型" 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
金氧半場效晶體管里的氧化層位于其溝道上方，依照其操作電壓的不同，這層氧化物的厚度僅有數(shù)十至數(shù)百埃（?）不等，通常材料是二氧化硅（SiO2），不過有些新的高級制程已經(jīng)可以使用如氮氧化硅（silicon oxynitride, SiON）做為氧化層之用。
