存儲(chǔ)器 IS42S86400D-7TLI-TR 集成電路
發(fā)布時(shí)間：2018/8/13
?IS42S86400D-7TLI-TR介紹：
描述 IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP
詳細(xì)描述 SDRAM 存儲(chǔ)器 IC 512Mb （64M x 8） 并聯(lián) 143MHz 5.4ns 54-TSOP II
類別 集成電路（IC）
存儲(chǔ)器
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列 -
包裝 帶卷（TR）
零件狀態(tài) 在售
存儲(chǔ)器類型 易失
存儲(chǔ)器格式 DRAM
技術(shù) SDRAM
存儲(chǔ)容量 512Mb （64M x 8）
時(shí)鐘頻率 143MHz
寫周期時(shí)間 - 字，頁(yè) -
訪問時(shí)間 5.4ns
存儲(chǔ)器接口 并聯(lián)
電壓 - 電源 3 V ~ 3.6 V
工作溫度 -40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 54-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝 54-TSOP II
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日常使用的十進(jìn)制數(shù)必須轉(zhuǎn)換成等值的二進(jìn)制數(shù)才能存入存儲(chǔ)器中。計(jì)算機(jī)中處理的各種字符，例如英文字母、運(yùn)算符號(hào)等，也要轉(zhuǎn)換成二進(jìn)制代碼才能存儲(chǔ)和操作。
當(dāng)要從DRAM芯片中讀出數(shù)據(jù)時(shí)，CPU首先將行地址加在A0-A7上，而后送出RAS鎖存信號(hào)，該信號(hào)的下降沿將地址鎖存在芯片內(nèi)部。接著將列地址加到芯片的A0-A7上，再送CAS鎖存信號(hào)，也是在信號(hào)的下降沿將列地址鎖存在芯片內(nèi)部。?
