晶體管 FDC3535 FET-MOSFET
發(fā)布時(shí)間:2018/7/20
?FDC3535介紹:
描述 MOSFET P-CH 80V 6-SSOT
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 30 周
詳細(xì)描述 表面貼裝 P 溝道 80V 2.1A(Ta) 1.6W(Ta) SuperSOT?-6
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench?
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 P 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 80V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)) 2.1A(Ta)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值) 183 毫歐 @ 2.1A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)(最大值) 20nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值) 880pF @ 40V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1.6W(Ta)
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 SuperSOT?-6
封裝/外殼 SOT-23-6 細(xì)型,TSOT-23-6
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晶體管在使用上有許多要注意的最大額定值,例如最大電壓、最大電流、最大功率。在超額的狀態(tài)下使用,晶體管內(nèi)部的結(jié)構(gòu)會(huì)被破壞。每種型號(hào)的晶體管還有特有的特性,像是直流放大率hfe、NF噪訊比等,可以借由晶體管規(guī)格表或是Data Sheet得知。?