晶體管 - UGBT IKP40N65F5 MOSFET
發(fā)布時(shí)間：2018/7/19
IKP40N65F5介紹：
描述 IGBT 650V 74A 255W TO220-3
詳細(xì)描述 IGBT 650V 74A 255W Through Hole PG-TO-220-3
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - UGBT，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 TrenchStop?
包裝 ? 管件 ?
零件狀態(tài) 在售
IGBT 類型 -
電壓 - 集射極擊穿（最大值） 650V
電流 - 集電極（Ic）（最大值） 74A
脈沖電流 - 集電極 (Icm) 120A
不同 Vge，Ic 時(shí)的 Vce（on） 2.1V @ 15V，40A
功率 - 最大值 255W
開(kāi)關(guān)能量 360μJ（開(kāi)），100μJ（關(guān)）
輸入類型 標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷 95nC
25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值 19ns/160ns
測(cè)試條件 400V，20A，15 歐姆，15V
反向恢復(fù)時(shí)間（trr） 60ns
工作溫度 -40°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 通孔
封裝/外殼 TO-220-3
供應(yīng)商器件封裝 PG-TO-220-3
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而IGFET的柵極絕緣層，有可能是其他物質(zhì)，而非金氧半場(chǎng)效晶體管使用的氧化層。有些人在提到擁有多晶硅柵極的場(chǎng)效晶體管組件時(shí)比較喜歡用IGFET，但是這些IGFET多半指的是金氧半場(chǎng)效晶體管。
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