晶體管 FGP10N60UNDF MOSFET - 單
發(fā)布時(shí)間：2018/7/18
FGP10N60UNDF 介紹：
描述 IGBT 600V 20A 139W TO220-3
詳細(xì)描述 IGBT NPT 600V 20A 139W Through Hole TO-220-3
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - UGBT，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 -
包裝 ? 管件 ?
零件狀態(tài) 在售
IGBT 類型 NPT
電壓 - 集射極擊穿（最大值） 600V
電流 - 集電極（Ic）（最大值） 20A
脈沖電流 - 集電極 (Icm) 30A
不同 Vge，Ic 時(shí)的 Vce（on） 2.45V @ 15V，10A
功率 - 最大值 139W
開關(guān)能量 150μJ（開），50μJ（關(guān)）
輸入類型 標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷 37nC
25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值 8ns/52.2ns
測(cè)試條件 400V，10A，10 歐姆，15V
反向恢復(fù)時(shí)間（trr） 37.7ns
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
封裝/外殼 TO-220-3
供應(yīng)商器件封裝 TO-220-3
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在雙極性晶體管中，射極到基極的很小的電流，會(huì)使得發(fā)射極到集電極之間，產(chǎn)生大電流；在場(chǎng)效應(yīng)晶體管中，在柵極施加小電壓，來控制源極和泄極之間的電流。
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