晶體管 - UGBT FGL35N120FTDTU MOSFET
發(fā)布時間：2018/7/16
FGL35N120FTDTU介紹：
描述 IGBT 1200V 70A 368W TO264
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 44 周
詳細(xì)描述 IGBT Trench Field Stop 1200V 70A 368W Through Hole TO-264
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - UGBT，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 -
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零件狀態(tài) 在售
IGBT 類型 溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值） 1200V
電流 - 集電極（Ic）（最大值） 70A
脈沖電流 - 集電極 (Icm) 105A
不同 Vge，Ic 時的 Vce（on） 2.2V @ 15V，35A
功率 - 最大值 368W
開關(guān)能量 2.5mJ（開）， 1.7mJ（關(guān)）
輸入類型 標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷 210nC
25°C 時 Td（開/關(guān)）值 34ns/172ns
測試條件 600V，35A，10 歐姆，15V
反向恢復(fù)時間（trr） 337ns
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
封裝/外殼 TO-264-3，TO-264AA
供應(yīng)商器件封裝 TO-264
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以金氧半場效晶體管（MOSFET）的命名來看，事實上會讓人得到錯誤的印象。因為MOSFET跟英文單字“metal（金屬）”的第一個字母M，在當(dāng)下大部分同類的組件里是不存在的。早期金氧半場效晶體管柵極使用金屬作為材料，但隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步，現(xiàn)代的金氧半場效晶體管柵極已用多晶硅取代了金屬。
