晶體管 BLS7G2729L-350P MOSFET - 射頻
發(fā)布時間：2018/7/9
BLS7G2729L-350P介紹：
描述 RF FET LDMOS 65V 13DB SOT539A
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標準提前期 13 周
詳細描述 射頻 Mosfet LDMOS（雙），共源 32V 200mA 2.7GHz ~ 2.9GHz 13dB 350W SOT539A
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
制造商 Ampleon USA Inc.
系列 -
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零件狀態(tài) 在售
晶體管類型 LDMOS（雙），共源
頻率 2.7GHz ~ 2.9GHz
增益 13dB
電壓 - 測試 32V
額定電流 -
噪聲系數(shù) -
電流 - 測試 200mA
功率 - 輸出 350W
電壓 - 額定 65V
封裝/外殼 SOT539A
供應(yīng)商器件封裝 SOT539A
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光晶體管（phototransistor）由雙極型晶體管或場效應(yīng)晶體管等三端器件構(gòu)成的光電器件。光在這類器件的有源區(qū)內(nèi)被吸收，產(chǎn)生光生載流子，通過內(nèi)部電放大機構(gòu)，產(chǎn)生光電流增益。
