晶體管 SI7703EDN-T1-E3 FET
發(fā)布時間：2018/5/15
SI7703EDN-T1-E3介紹：
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET?
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 P 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 4.3A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 800μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 18nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±12V
FET 功能 肖特基二極管（隔離式）
功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 48 毫歐 @ 6.3A，4.5V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 PowerPAK? 1212-8
封裝/外殼 PowerPAK? 1212-8
安富利（深圳）商貿(mào)有限公司介紹：
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晶體管有三個極: 雙極性晶體管的三個極，分別由N型跟P型組成發(fā)射極（Emitter）、基極（Base）和集電極（Collector）; 場效應(yīng)晶體管的三個極，分別是源極（Source）、柵極（Gate）和漏極（Drain）。
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