晶體管 FCPF190N60E FET
發(fā)布時(shí)間：2018/5/14
FCPF190N60E介紹：
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 SuperFET? II
包裝 ? 管件 ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 600V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 20.6A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 82nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 3175pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 39W（Tc）
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 190 毫歐 @ 10A，10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 TO-220F-3
封裝/外殼 TO-220-3 整包
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由于其響應(yīng)速度快，準(zhǔn)確性高，晶體管可用于各種各樣的數(shù)字和模擬功能，包括放大，開(kāi)關(guān)，穩(wěn)壓，信號(hào)調(diào)制和振蕩器。晶體管可獨(dú)立包裝或在一個(gè)非常小的的區(qū)域，可容納一億或更多的晶體管集成電路的一部分。
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