晶體管 MJD45H11G 雙極 (BJT)
發(fā)布時(shí)間：2018/5/10
MJD45H11G介紹：
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - 雙極 (BJT) - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 -
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零件狀態(tài) 在售
晶體管類型 PNP
電流 - 集電極（Ic）（最大值） 8A
電壓 - 集射極擊穿（最大值） 80V
不同 Ib，Ic 時(shí)的 Vce 飽和值（最大值） 1V @ 400mA，8A
電流 - 集電極截止（最大值） 1μA
不同 Ic，Vce 時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值） 40 @ 4A，1V
功率 - 最大值 1.75W
頻率 - 躍遷 90MHz
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
供應(yīng)商器件封裝 DPAK
基本零件編號(hào) MJD45H11
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由于其響應(yīng)速度快，準(zhǔn)確性高，晶體管可用于各種各樣的數(shù)字和模擬功能，包括放大，開關(guān)，穩(wěn)壓，信號(hào)調(diào)制和振蕩器。晶體管可獨(dú)立包裝或在一個(gè)非常小的的區(qū)域，可容納一億或更多的晶體管集成電路的一部分。
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