晶體管FQD7N20LTF FET
發(fā)布時(shí)間：2018/5/4
FQD7N20LTF介紹：
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 QFET?
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 停產(chǎn)
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 200V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 5.5A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 9nC @ 5V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 500pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），45W（Tc）
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 750 毫歐 @ 2.75A，10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 D-Pak
封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
安富利（深圳）商貿(mào)有限公司介紹：
公司所銷售產(chǎn)品涉及世界各名廠IC,:INFINEON(英飛凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、
ATMEL(愛特梅爾)、STC單片機(jī)、英特爾(Intel) 、德州儀器(TI)、飛利浦(Philips)、
海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美國仿真器件(ADI)、國際整流器(IR)、
臺(tái)灣硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞薩(Renesas)、東芝(Toshiba)、意法(ST)、
摩托羅拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美國美商半導(dǎo)體(AMD)、愛特梅爾(Atmel)、安捷倫;
安富利（深圳）商貿(mào)有限公司，全球最專業(yè)的配單專家。一手貨源!價(jià)格優(yōu)勢(shì)！
所出的物料，絕對(duì)原裝正品！放心購買！
本公司為一般納稅人，可開16%增值稅票！歡迎垂詢！
地址：深圳市前海深港合作區(qū)前灣一路1號(hào)A棟201
電話：0755-83224823
晶體管有三個(gè)極；雙極性晶體管的三個(gè)極，分別由N型跟P型組成發(fā)射極（Emitter）、基極(Base) 和集電極（Collector）;場(chǎng)效應(yīng)晶體管的三個(gè)極，分別是源極（Source）、柵極（Gate）和漏極（Drain）。
TB1H3T_ewaTBuNjSszfXXXgfpXa_!!0-item_pic.jpg_430x430q90.jpg)