FET MOSFET DMG2305UX-13 晶體管
發(fā)布時(shí)間：2018/4/25
DMG2305UX-13介紹；
描述 MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無(wú)限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 16 周
詳細(xì)描述 表面貼裝 P 溝道 20V 4.2A（Ta） 1.4W（Ta） SOT-23
類(lèi)別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Diodes Incorporated
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類(lèi)型 P 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 4.2A（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 900mV @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 10.2nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±8V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 808pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.4W（Ta）
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 52 毫歐 @ 4.2A、 4.5V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類(lèi)型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 SOT-23
封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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雖然數(shù)以百萬(wàn)計(jì)的單體晶體管還在使用，絕大多數(shù)的晶體管是和二極管|-{A|zh-cn:二極管；zh-tw:二極體}-，電阻，電容一起被裝配在微芯片（芯片）上以制造完整的電路。模擬的或數(shù)字的或者這兩者被集成在同一塊芯片上。設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)一個(gè)復(fù)雜芯片的成本是相當(dāng)高的，但是當(dāng)分?jǐn)偟酵ǔ０偃f(wàn)個(gè)生產(chǎn)單位上，每個(gè)芯片的價(jià)格就是最小的。一個(gè)邏輯門(mén)包含20個(gè)晶體管，而2005年一個(gè)高級(jí)的微處理器使用的晶體管數(shù)量達(dá)2.89億個(gè)。