SDRAM MT47H64M8CF-25E:G 存儲器
發(fā)布時間：2018/4/11
MT47H64M8CF-25E:G介紹；
描述 IC SDRAM 512MBIT 400MHZ 60FBGA
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 3（168 小時）
詳細描述 SDRAM - DDR2 存儲器 IC 512Mb （64M x 8） 并聯(lián) 400MHz 400ps 60-FBGA（8x10）
類別 集成電路（IC）
存儲器
制造商 Micron Technology Inc.
系列 -
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零件狀態(tài) 停產(chǎn)
存儲器類型 易失
存儲器格式 DRAM
技術(shù) SDRAM - DDR2
存儲容量 512Mb （64M x 8）
時鐘頻率 400MHz
寫周期時間 - 字，頁 15ns
訪問時間 400ps
存儲器接口 并聯(lián)
電壓 - 電源 1.7 V ~ 1.9 V
工作溫度 0°C ~ 85°C（TC）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 60-TFBGA
供應(yīng)商器件封裝 60-FBGA（8x10）
基本零件編號 MT47H64M8
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它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。有了存儲器，計算機才有記憶功能，才能保證正常工作。計算機中的存儲器按用途存儲器可分為主存儲器（內(nèi)存）和輔助存儲器（外存）,也有分為外部存儲器和內(nèi)部存儲器的分類方法。外存通常是磁性介質(zhì)或光盤等，能長期保存信息。內(nèi)存指主板上的存儲部件，用來存放當前正在執(zhí)行的數(shù)據(jù)和程序，但僅用于暫時存放程序和數(shù)據(jù)，關(guān)閉電源或斷電，數(shù)據(jù)會丟失。