IRF9Z24 IR 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 單
發(fā)布時(shí)間:2017/6/2
零件編號(hào) IRF9Z24-ND
制造商 Vishay Siliconix
制造商零件編號(hào) IRF9Z24
含鉛 / 不符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)(MSL) 1(無(wú)限)
產(chǎn)品
類(lèi)別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Vishay Siliconix
系列 -
包裝 ? 管件 ?
零件狀態(tài) 過(guò)期
FET 類(lèi)型 P 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源極電壓(Vdss) 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)) 11A(Tc)
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)(最大值) 19nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值) 570pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 60W(Tc)
不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值) 280 毫歐 @ 6.6A,10V
工作溫度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類(lèi)型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 TO-220AB
封裝/外殼 TO-220-3
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