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現(xiàn)貨 NAND04GW3B2DN6E ST 可供樣貨期優(yōu)勢

發(fā)布時(shí)間:2017/5/9

零件編號 NAND04GW3B2DN6E-ND


制造商 Micron Technology Inc.


制造商零件編號 NAND04GW3B2DN6E


描述 IC FLASH 4GBIT 48TSOP


無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求


類別 集成電路(IC)
存儲器
制造商 Micron Technology Inc.
系列 -
包裝 ? 托盤 ?
零件狀態(tài) Digi-Key 已不再提供
存儲器類型 非易失
存儲器格式 閃存
技術(shù) FLASH - NAND
存儲容量 4Gb (512M x 8)
寫周期時(shí)間 - 字,頁 25ns
訪問時(shí)間 25ns
存儲器接口 并聯(lián)
電壓 - 電源 2.7 V ~ 3.6 V
工作溫度 -40°C ~ 85°C(TA)
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬)
供應(yīng)商器件封裝 48-TSOP


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