CSD18540Q5B MOSFET
發(fā)布時間：2019/7/16
CSD18540Q5B介紹：
制造商: Texas Instruments
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: VSON-Clip-8
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續(xù)漏極電流: 100 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 2.2 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.5 V
Vgs - 柵極-源極電壓: 10 V
Qg-柵極電荷: 41 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 188 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: NexFET
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
高度: 1 mm
長度: 6 mm
系列: CSD18540Q5B
晶體管類型: 1 N-Channel Power MOSFET
寬度: 5 mm
商標(biāo): Texas Instruments
開發(fā)套件: BOOSTXL-DRV8305EVM, DRV8704EVM
下降時間: 3 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 9 ns
工廠包裝數(shù)量: 2500
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 20 ns
典型接通延遲時間: 6 ns
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