晶體管 FDS5690 MOSFET
發(fā)布時間：2018/10/30
FDS5690介紹：
描述 MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 6 周
詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 60V 7A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOIC
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench?
包裝 帶卷（TR）
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 60V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 7A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 28 毫歐 @ 7A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 32nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1107pF @ 30V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.5W（Ta）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 8-SOIC
封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
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晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開關(guān)，和一般機(jī)械開關(guān)（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號來控制，而且開關(guān)速度可以非常之快，在實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
2007年預(yù)計(jì)22億美元的收入 模擬及混合信號技術(shù)與設(shè)計(jì)的領(lǐng)先供應(yīng)商 電源管理業(yè)界的領(lǐng)先供應(yīng)商 汽車產(chǎn)品領(lǐng)先供應(yīng)商 醫(yī)療、軍事/航空和工業(yè)等終端市場應(yīng)用的領(lǐng)先定制產(chǎn)品 世界級、高產(chǎn)量、高性價比的制造 汽車、計(jì)算、消費(fèi)和通信等終端市場應(yīng)用的領(lǐng)先標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品
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