晶體管 FDB7030BL 半導體產品
發(fā)布時間：2018/10/15
FDB7030BL介紹：
描述 MOSFET N-CH 30V 60A TO-263AB
制造商標準提前期 15 周
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 30V 60A（Ta） 60W（Tc） TO-263AB
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench?
包裝 帶卷（TR）
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 60A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 9 毫歐 @ 30A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 24nC @ 5V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1760pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 60W（Tc）
工作溫度 -65°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 TO-263AB
封裝/外殼 TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
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在雙極性晶體管中，射極到基極的很小的電流，會使得發(fā)射極到集電極之間，產生大電流；在場效應晶體管中，在柵極施加小電壓，來控制源極和泄極之間的電流。
2007年預計22億美元的收入 模擬及混合信號技術與設計的領先供應商 電源管理業(yè)界的領先供應商 汽車產品領先供應商 醫(yī)療、軍事/航空和工業(yè)等終端市場應用的領先定制產品 世界級、高產量、高性價比的制造 汽車、計算、消費和通信等終端市場應用的領先標準產品
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