晶體管 FDD24AN06LA0 MOSFET
發(fā)布時間：2018/10/15
FDD24AN06LA0介紹：
描述 MOSFET N-CH 60V 40A TO-252
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 16 周
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 60V 7.1A（Ta），40A（Tc） 75W（Tc） TO-252AA
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 汽車級，AEC-Q101，PowerTrench?
包裝 帶卷（TR）
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 60V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 7.1A（Ta），40A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 19 毫歐 @ 40A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 21nC @ 5V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1850pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 75W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 TO-252AA
封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
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