晶體管 IRFR1205 MOSFET - 單
發(fā)布時(shí)間：2018/10/11
IRFR1205介紹：
描述 MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 55V 44A（Tc） 107W（Tc） D-Pak
類(lèi)別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET?
包裝 帶卷（TR）
零件狀態(tài) 在售
FET 類(lèi)型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 55V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 44A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 27 毫歐 @ 26A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 65nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 107W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類(lèi)型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 D-Pak
封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
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晶體管在使用上有許多要注意的最大額定值，例如最大電壓、最大電流、最大功率。在超額的狀態(tài)下使用，晶體管內(nèi)部的結(jié)構(gòu)會(huì)被破壞。每種型號(hào)的晶體管還有特有的特性，像是直流放大率hfe、NF噪訊比等，可以借由晶體管規(guī)格表或是Data Sheet得知。
其總部在德國(guó)的慕尼黑，企業(yè)文化: never stop thinking. 在中國(guó)蘇州投資成立奇夢(mèng)達(dá)，主要生產(chǎn)內(nèi)存條，并允許北京瑞田達(dá)公司代理其電子產(chǎn)品。
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