晶體管 SI9435BDY FET
發(fā)布時(shí)間：2018/10/10
SI9435BDY介紹：
描述 MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-SOIC
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 33 周
詳細(xì)描述 表面貼裝 P 溝道 30V 4.1A（Ta） 1.3W（Ta） 8-SO
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET?
包裝 帶卷（TR）
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 P 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 4.1A（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 42 毫歐 @ 5.7A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 24nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 8-SO
封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
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晶體管在電路最常用的用途應(yīng)該是屬于信號放大這一方面，其次是阻抗匹配、信號轉(zhuǎn)換等，晶體管在電路中是個(gè)很重要的元件，許多精密的組件主要都是由晶體管制成的。
Vishay Intertechnology, Inc是全球最大的分立半導(dǎo)體（二極管、MOSFET和紅外光電子產(chǎn)品）和無源電子元件（電阻器、電感器和電容器）制造商之一。
