晶體管 FDS6890A FET-MOSFET
發(fā)布時(shí)間：2018/10/9
FDS6890A介紹：
描述 MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 23 周
詳細(xì)描述 2 個(gè) N 溝道（雙） Mosfet 陣列 20V 7.5A 900mW 表面貼裝 8-SO
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
制造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench?
包裝 帶卷（TR）
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 2 個(gè) N 溝道（雙）
FET 功能 邏輯電平門
漏源電壓（Vdss） 20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 7.5A
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 18 毫歐 @ 7.5A，4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 32nC @ 4.5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 2130pF @ 10V
功率 - 最大值 900mW
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝 8-SO
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場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。根據(jù)三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件，有3個(gè)極性，柵極，漏極，源極，它的特點(diǎn)是柵極的內(nèi)阻極高，采用二氧化硅材料的可以達(dá)到幾百兆歐，屬于電壓控制型器件。
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