晶體管 FDP8874 MOSFET - 單
發(fā)布時間：2018/10/9
FDP8874介紹：
描述 MOSFET N-CH 30V 114A TO-220AB
制造商標準提前期 4 周
詳細描述 通孔 N 溝道 30V 16A（Ta），114A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB
類別 分立半導體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench?
包裝 管件
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 16A（Ta），114A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 5.3 毫歐 @ 40A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 72nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 3130pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 110W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-220AB
封裝/外殼 TO-220-3
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