晶體管 STD2HNK60Z-1 MOSFET - 單
發(fā)布時間：2018/10/8
STD2HNK60Z-1介紹：
描述 MOSFET N-CH 600V 2A IPAK
詳細描述 通孔 N 溝道 600V 2A（Tc） 45W（Tc） I-PAK
類別 分立半導體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 STMicroelectronics
系列 SuperMESH??
包裝 管件
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 600V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 2A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 4.8 歐姆 @ 1A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 50μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 15nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 280pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 45W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 I-PAK
封裝/外殼 TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA
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MOSFET依照其"通道"(工作載流子)的極性不同，可分為"N型"與"P型" 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
意法半導體將與IBM聯(lián)盟合作開發(fā)下一代制造工藝，包括32nm 和 22nm CMOS工藝開發(fā)、設計實現(xiàn)技術和針對300mm晶圓制造的先進研究，此外，意法半導體和IBM還將利用位于法國Crolles的300mm生產(chǎn)設施開發(fā)高附加值的CMOS衍生系統(tǒng)級芯片技術。
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