存儲器 CY14E256LA-SZ25XIT 集成電路
發(fā)布時間:2018/9/6
CY14E256LA-SZ25XIT介紹:
描述 IC NVSRAM 256K PARALLEL 32SOIC
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 10 周
詳細(xì)描述 NVSRAM(非易失性 SRAM) 存儲器 IC 256Kb (32K x 8) 并聯(lián) 25ns 32-SOIC
類別 集成電路(IC)
存儲器
制造商 Cypress Semiconductor Corp
系列 -
包裝 帶卷(TR)
零件狀態(tài) 在售
存儲器類型 非易失
存儲器格式 NVSRAM
技術(shù) NVSRAM(非易失性 SRAM)
存儲容量 256Kb (32K x 8)
寫周期時間 - 字,頁 25ns
訪問時間 25ns
存儲器接口 并聯(lián)
電壓 - 電源 4.5 V ~ 5.5 V
工作溫度 -40°C ~ 85°C(TA)
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 32-SOIC(0.295",7.50mm 寬)
供應(yīng)商器件封裝 32-SOIC
基本零件編號 CY14*256
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由若干個存儲元組成一個存儲單元,然后再由許多存儲單元組成一個存儲器。一個存儲器包含許多存儲單元,每個存儲單元可存放一個字節(jié)(按字節(jié)編址)。每個存儲單元的位置都有一個編號,即地址,一般用十六進(jìn)制表示。
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