晶體管 IRF9640STRLPBF 半導(dǎo)體產(chǎn)品
發(fā)布時(shí)間：2018/9/5
IRF9640STRLPBF介紹：
描述 MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 18 周
詳細(xì)描述 表面貼裝 P 溝道 200V 11A（Tc） 3W（Ta），125W（Tc） D2PAK
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Vishay Siliconix
系列 -
包裝 帶卷（TR）
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 P 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 200V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 11A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 500 毫歐 @ 6.6A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 44nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 3W（Ta），125W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 D2PAK
封裝/外殼 TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
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晶體管有三個(gè)極: 雙極性晶體管的三個(gè)極，分別由N型跟P型組成發(fā)射極（Emitter）、基極（Base）和集電極（Collector）; 場(chǎng)效應(yīng)晶體管的三個(gè)極，分別是源極（Source）、柵極（Gate）和漏極（Drain）。
在二十世紀(jì)五十年代，物理學(xué)家同時(shí)也是現(xiàn)任威世公司的主席和首席技術(shù)及業(yè)務(wù)拓展主管Felix Zandman博士獲得了PhotoStress®涂層和儀表的專利。
