晶體管 MGSF1N03LT1G FET-MOSFET
發(fā)布時(shí)間：2018/9/3
MGSF1N03LT1G介紹：
描述 MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT-23
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 35 周
詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 30V 1.6A（Ta） 420mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 -
包裝 帶卷（TR）
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 1.6A（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 100 毫歐 @ 1.2A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 250μA
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 140pF @ 5V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 420mW（Ta）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 SOT-23-3（TO-236）
封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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TTL與非門是將若干個(gè)晶體管和電阻元件組成的電路系統(tǒng)集中制造在一塊很小的硅片上，封裝成一個(gè)獨(dú)立的元件.晶體管是半導(dǎo)體三極管中應(yīng)用最廣泛的器件之一，在電路中用“V”或“VT”（舊文字符號為“Q”、“BG”等）表示。?晶體管被認(rèn)為是現(xiàn)代歷史中最偉大的發(fā)明之一。
2007年預(yù)計(jì)22億美元的收入 模擬及混合信號技術(shù)與設(shè)計(jì)的領(lǐng)先供應(yīng)商 電源管理業(yè)界的領(lǐng)先供應(yīng)商 汽車產(chǎn)品領(lǐng)先供應(yīng)商 醫(yī)療、軍事/航空和工業(yè)等終端市場應(yīng)用的領(lǐng)先定制產(chǎn)品 世界級、高產(chǎn)量、高性價(jià)比的制造 汽車、計(jì)算、消費(fèi)和通信等終端市場應(yīng)用的領(lǐng)先標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品?
