晶體管 IRFD9210PBF MOSFET - 單
發(fā)布時(shí)間：2018/8/27
IRFD9210PBF介紹：
描述 MOSFET P-CH 200V 0.4A 4-DIP
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 16 周
詳細(xì)描述 通孔 P 溝道 200V 400mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Vishay Siliconix
系列 -
包裝 ? 管件 ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 P 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 200V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 400mA（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 3 歐姆 @ 240mA，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 8.9nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 170pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1W（Ta）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
封裝/外殼 4-DIP（0.300"，7.62mm）
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晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件，具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān)，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。
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