晶體管 SUD35N10-26P-GE3 FET-MOSFET
發(fā)布時(shí)間：2018/8/24
SUD35N10-26P-GE3介紹：
描述 MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 33 周
詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 100V 35A（Tc） 8.3W（Ta），83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET?
包裝 帶卷（TR）
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 100V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 35A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 7V，10V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 26 毫歐 @ 12A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 4.4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 47nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 2000pF @ 12V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 8.3W（Ta），83W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 TO-252，（D-Pak）
封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
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在雙極性晶體管中，射極到基極的很小的電流，會(huì)使得發(fā)射極到集電極之間，產(chǎn)生大電流；在場(chǎng)效應(yīng)晶體管中，在柵極施加小電壓，來控制源極和泄極之間的電流。在模擬電路中，晶體管用于放大器、音頻放大器、射頻放大器、穩(wěn)壓電路；在計(jì)算機(jī)電源中，主要用于開關(guān)電源。
威世硅尼克斯 (Vishay Siliconix)是現(xiàn)今世界上排名第一的低壓功率MOSFET和用于在計(jì)算機(jī)、蜂窩電話和通信基礎(chǔ)設(shè)備的管理和功率轉(zhuǎn)換以及控制計(jì)算機(jī)磁盤驅(qū)動(dòng)和汽車系統(tǒng)的固態(tài)開關(guān)的供應(yīng)商。?
