晶體管 - FET STF15N65M5 MOSFET - 單
發(fā)布時(shí)間：2018/7/17
STF15N65M5介紹：
描述 MOSFET N-CH 650V 11A TO-220FP
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 42 周
詳細(xì)描述 通孔 N 溝道 650V 11A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
復(fù)制
類(lèi)別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 STMicroelectronics
系列 MDmesh? V
包裝 ? 管件 ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類(lèi)型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 650V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 11A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 340 毫歐 @ 5.5A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 22nC @ 10V
Vgs（最大值） ±25V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 816pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 30W（Tc）
工作溫度 150°C（TJ）
安裝類(lèi)型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 TO-220FP
封裝/外殼 TO-220-3 整包
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而可惜的是很多擁有良好電性的半導(dǎo)體材料，如砷化鎵（GaAs），因?yàn)闊o(wú)法在表面長(zhǎng)出品質(zhì)夠好的氧化層，所以無(wú)法用來(lái)制造金氧半場(chǎng)效晶體管組件。當(dāng)一個(gè)夠大的電位差施于金氧半場(chǎng)效晶體管的柵極與源極之間時(shí)，電場(chǎng)會(huì)在氧化層下方的半導(dǎo)體表面形成感應(yīng)電荷，而這時(shí)就會(huì)形成所謂的“反轉(zhuǎn)溝道”（inversion channel）。
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