晶體管 BSP299H6327XUSA1 MOSFET - 單
發(fā)布時(shí)間：2018/7/17
BSP299H6327XUSA1介紹：
描述 MOSFET N-CH 500V 0.4A SOT-223
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 26 周
詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 500V 400mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 SIPMOS?
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 500V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 400mA（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 4 歐姆 @ 400mA，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 400pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 PG-SOT223-4
封裝/外殼 TO-261-4，TO-261AA
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從目前的角度來看MOSFET的命名，事實(shí)上會(huì)讓人得到錯(cuò)誤的印象。因?yàn)镸OSFET里代表“metal”的第一個(gè)字母M在當(dāng)下大部分同類的元件里是不存在的。早期的柵極（gate electrode）使用金屬作為其材料，但隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步，現(xiàn)代的MOSFET柵極早已用多晶硅取代了金屬。
