晶體管 - FET IPA057N06N3GXKSA1 MOSFET - 單
發(fā)布時(shí)間：2018/7/13
IPA057N06N3GXKSA1介紹：
描述 MOSFET N-CH 60V 60A TO220-3-31
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 26 周
詳細(xì)描述 通孔 N 溝道 60V 60A（Tc） 38W（Tc） PG-TO220-3-31 整包
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS??
包裝 ? 管件 ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 60V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 60A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 5.7 毫歐 @ 60A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 58μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 82nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 6600pF @ 30V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 38W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 PG-TO220-3-31 整包
封裝/外殼 TO-220-3 整包
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