晶體管 APT5010 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
發(fā)布時間：2018/7/11
APT5010介紹：
描述 MOSFET N-CH 500V 46A TO-264
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標準提前期 17 周
詳細描述 通孔 N 溝道 500V 46A（Tc） 520W（Tc） TO-264 [L]
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Microsemi Corporation
系列 POWER MOS 7?
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零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 500V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 46A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 100 毫歐 @ 23A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 2.5mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 95nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 4360pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 520W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 TO-264 [L]
封裝/外殼 TO-264-3，TO-264AA
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半導(dǎo)體中的雜質(zhì)對電阻率的影響非常大。半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)時，雜質(zhì)原子附近的周期勢場受到干擾并形成附加的束縛狀態(tài)，在禁帶中產(chǎn)加的雜質(zhì)能級。
