晶體管 TK16J60W FET-MOSFET
發(fā)布時間：2018/7/11
TK16J60W介紹：
描述 MOSFET N CH 600V 15.8A TO-3P(N)
對無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
詳細(xì)描述 通孔 N 溝道 600V 15.8A（Ta） 130W（Tc） TO-3P（N）
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
系列 DTMOSIV
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零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 600V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 15.8A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 190 毫歐 @ 7.9A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 3.7V @ 790μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 38nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1350pF @ 300V
FET 功能 超級結(jié)
功率耗散（最大值） 130W（Tc）
工作溫度 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 TO-3P（N）
封裝/外殼 TO-3P-3，SC-65-3
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晶體管的低成本、靈活性和可靠性使得其成為非機(jī)械任務(wù)的通用器件，例如數(shù)字計算。在控制電器和機(jī)械方面，晶體管電路也正在取代電機(jī)設(shè)備，因為它通常是更便宜、更有效地，僅僅使用標(biāo)準(zhǔn)集成電路并編寫計算機(jī)程序來完成同樣的機(jī)械任務(wù)，使用電子控制，而不是設(shè)計一個等效的機(jī)械控制。因為晶體管的低成本和后來的電子計算機(jī)、數(shù)字化信息的浪潮來到了。
