晶體管 - FET US5U38TR MOSFET
發(fā)布時間：2018/7/10
US5U38TR介紹：
描述 MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
詳細描述 表面貼裝 P 溝道 20V 1A（Ta） 1W（Ta） TUMT5
類別 分立半導體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Rohm Semiconductor
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 不適用於新設(shè)計
FET 類型 P 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 1A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 390 毫歐 @ 1A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 2.1nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±12V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 150pF @ 10V
FET 功能 肖特基二極管（隔離式）
功率耗散（最大值） 1W（Ta）
工作溫度 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 TUMT5
封裝/外殼 6-SMD（5引線），扁引線
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以金氧半場效晶體管（MOSFET）的命名來看，事實上會讓人得到錯誤的印象。因為MOSFET跟英文單字“metal（金屬）”的第一個字母M，在當下大部分同類的組件里是不存在的。早期金氧半場效晶體管柵極使用金屬作為材料，但隨著半導體技術(shù)的進步，現(xiàn)代的金氧半場效晶體管柵極已用多晶硅取代了金屬。
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