晶體管 DMS935E10R 特殊用途
發(fā)布時(shí)間：2018/7/9
DMS935E10R介紹：
描述 TRANS ARRAY NPN/CCD SSMINI6
對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無(wú)限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 11 周
詳細(xì)描述 Transistor CCD Output Circuits NPN, N-Channel 20V NPN, 40V N-Channel 50mA NPN, 10mA N-Channel Surface Mount SSMini6-F3-B
Transistor CCD Output Circuits NPN, N-Channel 20V NPN, 40V N-Channel 50mA NPN, 10mA N-Channel Surface Mount SSMini6-F3-B
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - 特殊用途
制造商 Panasonic Electronic Components
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
晶體管類型 NPN，N 通道
應(yīng)用 CCD 輸出電路
電壓 - 額定 20V NPN，40V N 通道
額定電流 50mA NPN，10mA N 通道
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 SOT-563，SOT-666
供應(yīng)商器件封裝 SSMini6-F3-B
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電力晶體管按英文Giant Transistor直譯為巨型晶體管，是一種耐高電壓、大電流的雙極結(jié)型晶體管（Bipolar Junction Transistor—BJT），所以有時(shí)也稱為Power BJT；其特性有：耐壓高，電流大，開關(guān)特性好，但驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜，驅(qū)動(dòng)功率大；GTR和普通雙極結(jié)型晶體管的工作原理是一樣的。
