晶體管 IXGH100N30C3 MOSFET
發(fā)布時間：2018/7/3
IXGH100N30C3介紹：
描述 IGBT 300V 75A 460W TO247
對無鉛要求的達標(biāo)情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 24 周
詳細(xì)描述 IGBT PT 300V 75A 460W Through Hole TO-247AD (IXGH)
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - UGBT，MOSFET - 單
制造商 IXYS
系列 GenX3??
包裝 ? 管件 ?
零件狀態(tài) 在售
IGBT 類型 PT
電壓 - 集射極擊穿（最大值） 300V
電流 - 集電極（Ic）（最大值） 75A
脈沖電流 - 集電極 (Icm) 500A
不同 Vge，Ic 時的 Vce（on） 1.85V @ 15V，100A
功率 - 最大值 460W
開關(guān)能量 230μJ（開），520μJ（關(guān)）
輸入類型 標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷 162nC
25°C 時 Td（開/關(guān)）值 23ns/105ns
測試條件 200V，50A，2 歐姆，15V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
封裝/外殼 TO-247-3
供應(yīng)商器件封裝 TO-247AD（IXGH）
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以金氧半場效晶體管（MOSFET）的命名來看，事實上會讓人得到錯誤的印象。因為MOSFET跟英文單字“metal（金屬）”的第一個字母M，在當(dāng)下大部分同類的組件里是不存在的。早期金氧半場效晶體管柵極使用金屬作為材料，但隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進步，現(xiàn)代的金氧半場效晶體管柵極已用多晶硅取代了金屬。
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